我国优异党员、我国科学院院士，我国科学院半导体研讨所研讨员、我国闻名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京去世，享年86岁。

  据介绍，王圩院士是我国闻名的半导体光电子学专家，1937年12月25日生于河北文安，1960年结业于北京大学物理系半导体专业，同年到我国科学院半导体研讨所作业至今。

  王圩院士为我国半导体学科建设、技能立异、工业复兴以及人才教育训练做出了重要奉献。

  先后获得国家“六五”攻关奖、我国科学院科学技能进步一等奖、国家科学技能进步二等奖、我国资料研讨学会科学技能一等奖等。宣布学术论文百余篇。1997年中选我国科学院院士。

  王圩院士是我国半导体激光器的开拓者，在半导体光电子范畴辛勤耕耘、造就颇深，并获得了一系列重要科研效果。

  20世纪60年代率先在国内研制成功无位错硅单晶，为我国硅平面型晶体管和集成电路的展开做出了奉献。

  70年代率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管，并成功使用于夜视和精细测距仪等要害技能上；参与树立了国内第一批Ⅲ-V族化合物液相外延办法，为国内初次研制成功GaAs基短波长脉冲激光器奠定根底。

  80年代至90年代选用大过冷度技能和量子取舍成长技能，研制出1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模散布反应激光器，为我国供给了用于研制第二、第三代远程大容量光纤通信急需的光源。

  进入新世纪以来，王圩院士在半导体光电子资料和器材的前端研讨范畴，掌管展开大应变量子阱资料以及不同带隙量子阱资料的单片集成等要害技能的研讨，树立了可集成半导体激光器、电吸收调制器、光放大器、探测器以及耦合器等部件的集成技能渠道，为展开多个光学部件的单片集成技能奠定了根底，成为我国展开InP基功用集成资料及器材研讨、技能辐射和使用的基地。

  王圩院士甘为人梯、提拔后进，在教育战线余年，倾泻了很多汗水和汗水，培育和造就了一大批优异科学技能人才，对我国光电子学工作的展开和光电子学范畴人才的培育作出了重要奉献。

  他谨慎务实、斗争不止的科学精力和爱国奉献、淡泊名利的崇高道德，更是广阔科技作业人员和师生学习的典范。

  2017年12月24日，王圩院士从事科研作业60周年暨DFB组树立30周年学术交流会在中科院半导体所举办。

  他在贺信中高度评价了王圩院士为我国半导体光电子科学技能工作及其工业化展开做出的系统性和立异性的突出奉献，勇于立异、锐意进取的科学精力，爱国奉献、和蔼可亲的崇高道德，以及为国家科学思想库功用发挥和在青年科学技能人才培育方面获得的突出成绩，向王圩院士致以诚心的恭喜和诚挚的问好。

  王圩院士在答谢讲话中指出，感谢我们在百忙之中前来参与此次会议，感谢与他一起并肩战斗的搭档们，并寄期望给年青人为国家多做奉献。

  他指出，在我们的尽力下，DFB组从树立之初的几个人展开成为几十个人组成的我们庭， 包含30后到90后年纪跨度的集体，从80年代展开到现在，从弱到强，从单一研讨到集成展开，持续不断的展开壮大。DFB组效果转化作业也稳步推动，服务于社会和国家的初衷得以完成，为完成中华民族巨大复兴我国梦奉献了力气。感谢所领导的支撑，搭档们的尽力，尽管自己已是耄耋之年，但心仍未老，“老骥伏枥，志在千里”，会持续发挥余热，斗争在科研一线！

  王圩院士还为恭喜DFB组创业30周年赋诗一首：安全之夜喜相逢，聚首共叙创业情。曾怼巴统誓自立，日以继夜觅单峰。积习沉舟成正果，欢歌高奏庆光通。霜染两鬓志安在，愿学猛士唱劲风。

  本文为汹涌号作者或组织在汹涌新闻上传并发布，仅代表该作者或组织观念，不代表汹涌新闻的观念或态度，汹涌新闻仅供给信息发布渠道。请求汹涌号请用电脑拜访。